NP36P04SDG-E1-AY - 上海强芯电子技术有限公司

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NP36P04SDG-E1-AYDKR-ND

型号 :: NP36P04SDG-E1-AY

制造商 :: Renesas Electronics America

简介 :: MOSFET P-CH -40V -36A TO-252

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库存 :: 800

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NP36P04SDG-E1-AY

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	2800pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	55nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	17 毫欧 @ 18A，10V
供应商器件封装	TO-252（MP-3ZK）
功率 - 最大值	1.2W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
漏源极电压（Vdss）	40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	36A（Tc）
系列	-

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