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RQJ0303PGDQA#H6-ND
- 型号 :
- RQJ0303PGDQA#H6
- 简介 :
- MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
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| FET 功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 625pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 12nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 68 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 供应商器件封装 | 3-MPAK |
| 功率 - 最大值 | 800mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 3.3A（Ta） |
| 系列 | - |
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