ECH8306-TL-E - 上海强芯电子技术有限公司

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869-1153-2-ND

型号 :: ECH8306-TL-E

制造商 :: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

简介 :: MOSFET P-CH 100V 2A ECH8

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库存 :: 800

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ECH8306-TL-E

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	1600pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	33nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	225 毫欧 @ 1A，10V
供应商器件封装	8-ECH
功率 - 最大值	1.6W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SMD，扁平引线
漏源极电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2A（Ta）
系列	-

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