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BSL806N L6327DKR-ND

型号 :
BSL806N L6327
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 750mV @ 11µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 259pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 1.7nC @ 2.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 57 毫欧 @ 2.3A,2.5V
供应商器件封装 PG-TSOP6-6
功率 - 最大值 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-74,SOT-457
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A
系列 OptiMOS™
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