服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> BSZ065N03LS

BSZ065N03LSTR-ND

型号 :
BSZ065N03LS
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8
PDF :
PDF
库存 :
35000 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 670pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 10nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 20A,10V
供应商器件封装 PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
功率 - 最大值 2.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),40A(Tc)
系列 OptiMOS™
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]