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NSTB1002DXV5T1-ND

型号 :
NSTB1002DXV5T1
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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数量 : 加入询价
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V / 100 @ 1mA,10V
供应商器件封装 SOT-553
功率 - 最大值 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-553
晶体管类型 1 NPN 预偏压式,1 PNP
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,40V
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA,200mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k
系列 -
频率 - 跃迁 250MHz
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